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产品先容

        碳氧化硅（SiCO）依附低介电常数（Low-k）、耐湿法刻蚀，以及高台阶笼罩率，在先进制程中的应用逐步扩大。PF-300T Astra SiCO 是一款低介电常数薄膜沉积装备，团结 CVD 与 ALD 的手艺优势，兼顾产能与工艺稳固性。面向先进芯片结构中的低k介质侧壁层，可实现高台阶笼罩率的 SiCO 薄膜沉积，同时降低等离子体带来的直接损伤，有用降低器件层间寄生电容、镌汰信号串扰，显著提升芯片运行速率与能效体现。产品的主要手艺指标抵达国际先进水平，普遍应用于先进逻辑以及存储芯片制造领域。

产品特点
        - 高品质 SiCO 薄膜沉积能力
        - 优异的片内匀称性和颗粒控制能力
        - 可搭载3个双两站式反应腔
        - 通过 S2 清静认证和 F47 标准磨练